Результаты поиска

По запросу "MJD127" найдено 6 результатов

MJD127

Транзисторы и сборки биполярные

MJD127T4 TO-252

MJD127T4 TO-252(DPAK) Ningbo(ZH) RoHS транзистор

MJD127T4 TO-252AA

MJD127T4 TO-252AA ST транзистор

MJD127T4G

MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

MJD127G

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20 Вт

MJD127T4

Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 100 В, 8 А, 20Вт

Не нашли нужный компонент?

Мы поможем найти редкие и снятые с производства компоненты.
Свяжитесь с нами для индивидуального предложения.

+7 (495) 128-23-75 Оставить заявку