Всего компонентов: 302 186 |
Страница 157 из 303
MLF2012A1R2JT000 0805 1,2uH 5% 0,08A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.5мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор феррит 0.08A 0.4Ом 0805 лента на катушке
MLF2012A1R5JT000, SMD индуктивность 1.5 мкГн 5% 80мА 0805
Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 1.5мкГн ±10% 10МГц 45Q-Фактор феррит 80мА 400мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 1.8мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор феррит 0.08A 0.45Ом 0805 лента на катушке
MLF2012A1R8JT000 0805 1,8uH 5% 0,08A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 2.2мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор феррит 0.05A 0.5Ом 0805 лента на катушке
MLF2012A2R2JT000 0805 2,2uH 5% 0,05A TDK Чип-индуктивность
MLF2012A3R3JT000, SMD индуктивность 3.3 мкГн 5% 50мА 0805
Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 3.3мкГн ±10% 10МГц 45Q-Фактор феррит 50мА 600мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLF2012A3R9JT000, SMD индуктивность 3.9 мкГн 5% 30мА 0805
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкГн ±5% 10МГц 45Q-Фактор феррит 0.03A 0.7Ом 0805 лента на катушке
MLF2012A4R7JT000 0805 4,7uH 5% 0,03A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 4.7мкГн ±10% 10МГц 45Q-Фактор феррит 30mA
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 15мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 0.005A 0.7Ом 0805 лента на катушке
MLF2012C150KT000, SMD индуктивность 15 мкГн 10% 5мА 0805
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 22мкГн ±10% 1МГц 30Q-Фактор феррит 0.005A 0.9Ом 0805 лента на катушке
MLF2012C820KT000 0805 82uH 10% 0,002A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.047мкГн ±20% 50МГц 15Q-Фактор феррит 0.3A 0.1Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.068мкГн ±20% 50МГц 15Q-Фактор феррит 0.3A 0.15Ом 0805 лента на катушке
MLF2012D68NMT000 0805 68nH 20% 0,3A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.082мкГн ±20% 50МГц 15Q-Фактор феррит 0.3A 0.15Ом 0805 лента на катушке
MLF2012D82NMT000, SMD индуктивность 82 нГн 20% 300мА 0805
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.1мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.15Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR10JT000, SMD индуктивность 100 нГн 5% 300мА 0805
ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0805 0.1 мкГн ±10 % 300 мА
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR12JT000, SMD индуктивность 120 нГн 5% 300мА 0805
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.12мкГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.15мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.3A 0.2Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR15JT000 0805 150nH 5% 0,3A TDK Чип-индуктивность
MLF2012DR18JT000 0805 180nH 5% 0,3A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.3Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR22JT000, SMD индуктивность 220 нГн 5% 250мА 0805
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.27мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.35Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR27JT000 0805 270nH 5% 0,25A TDK Чип-индуктивность
Индуктивность SMD высокочастотная экранированная многослойная 270нГн ±10% 25МГц 20Q-Фактор феррит 250мА 350мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 20Q-Фактор феррит 0.25A 0.4Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR33JT000, SMD индуктивность 330 нГн 5% 250мА 0805
ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0805 0.33 мкГн ±10 % 250 мА
MLF2012DR39JT000 0805 390nH 5% 0,2A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLF 0805 390 нГн ±10 % 200 мА
MLF2012DR47JT000 0805 470nH 5% 0,2A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 470нГн ±10% 25МГц 25Q-Фактор феррит 200мА 500мОм 0805 автомобильного применения
MLF2012DR56JT000 0805 560nH 5% 0,15A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.56мкГн ±10% 25МГц 25Q-Фактор феррит 0.15A 0.55Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 0.68мкГн ±5% 25МГц 25Q-Фактор феррит 0.15A 0.6Ом 0805 лента на катушке
MLF2012DR68JT000 0805 680nH 5% 0,15A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 680нГн ±10% 25МГц 25Q-Фактор феррит 150мА 600мОм 0805 лента на катушке
MLF2012DR82JT000, SMD индуктивность 820 нГн 5% 150мА 0805
ЧИП-индуктивность многослойная силовая серия MLF 0805 820 нГн ±10% 150 мА феррит
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная экранированная 10мкГн ±5% 2МГц 50Q-Фактор феррит 0.015A 0.8Ом 0805 лента на катушке
0805 10 uH ±10% 15mA / MLF2012E270KT000
MLF2012E5R6JT000 0805 5,6uH 5% 0,015A TDK Чип-индуктивность
MLF2012E6R8JT000 0805 6,8uH 5% 0,015A TDK Чип-индуктивность
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 12нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 400мОм по постоянному току
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 15нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 400мА 550мОм по постоянному току
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 18нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 600мОм по постоянному току
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 22нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 350мА 700мОм по постоянному току
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 27нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 300мА 800мОм по постоянному току
ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 0.0024мкГн 0.1нГн 100МГц 7Q-фактор керамика 0.8A автомобильного применения лента на катушке
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 0.033мкГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.3A 0.9Ом
ЧИП-индуктивность высокочастотная многослойная неэкранированная 3.9нГн±0.1нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 0.7A 0.2
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 4.3нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 700мА 200мОм
ЧИП-индуктивность ысокочастотная многослойная неэкранированная 4.7нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-фактор керамика 700мА 250мОм
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 68нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 200мА 1.5Ом
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.2нГн 0.3нГн 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 6.8нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 600мА 250мОм
Индуктивность SMD высокочастотная неэкранированная многослойная 7.5нГн ±5% 100МГц 8Q-Фактор керамика 500мА 250мОм
Держатели светодиодов, COB модулей
MLH-5, Держатель светодиода 5мм металл.
Держатель для светодиода 5 мм
Промышленные датчики давления R@iomtric Otput Typ PSIS PK 1/4-18 NP
Датчик давления индустриальный 0psi...150psi герметичный манометр медицинского применения 3 вывода
Датчик давления индустриальный 0psi...500psi герметичный манометр медицинского применения 3 вывода
Клещи электроизмерительные MLIT-1
MLJ1608WR16JT000, SMD индуктивность 160 нГн 5% 750мА 0603
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.22мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.6A 0.26Ом 0603 лента на катушке
MLJ1608WR22JT000, SMD индуктивность 220 нГн 5% 700мА 0603
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.27мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.55A 0.29Ом 0603 лента на катушке
MLJ1608WR27JT000, SMD индуктивность 270 нГн 5% 700мА 0603
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.33мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.5A 0.32Ом 0603 лента на катушке
MLJ1608WR33JT000 0603 330nH 5% 0,65A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.39мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.45A 0.37Ом 0603 лента на катушке
MLJ1608WR39JT000, SMD индуктивность 390 нГн 5% 600мА 0603
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 0.56мкГн ±5% 25МГц 15Q-Фактор феррит 0.4A 0.52Ом 0603 лента на катушке
MLK1005S10NJT000, SMD индуктивность 10нГн 350мА 230мОм 1*0,5*0,5мм
0402 15nH 5% 0,3A / MLK1005S15NJT000
2x1.6x1 1.5uH 20% 1.65A / MLP06MT1R5
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.39Ом 0603 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 0.6A 0.468Ом 0603 лента на катушке
MLP2012H2R2MT0S1, чип индуктивность 0805 2.2uH 20% 2MHz 1A
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 1A 0.208Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 800мА 299мОм 0805
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 2МГц феррит 0.7A 0.338Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 1.4A 117мОм 0806 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 1.2A 0.143Ом 0806 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная с магнитным экраном серия MLP 0806 0.47 мкГн ±20 % 1.6 A
ЧИП-индуктивность силовая 1008 10мкГн, 700мА, по постоянному току 280мОм
ЧИП-индуктивность силовая 1008 1мкГн, 1500мА, по постоянному току 80мОм
SMD дроссель 1008 1.5uH 90mOhms 1.2A
Индуктивность SMD многослойная экранированная MLP-серия 1008 3.3мкГн 1А 0.11Ом
Фильтр радиочастотный полосовой 2400….2500МГц 1.1дБ 50Ом для поверхностного монтажа 6 выводов лента на катушке
электромагн пассивный 2700 Гц Uн=3.6V (2.5-4.5V) / MLT-8540H
Варистор многослойный 11В переменного тока/14В постоянного тока 40A 16.5В to 20.3В 0805 для поверхностного монтажа лента на катушке
Датчик MLX90217LUA-CAA-000-BU
датчик Холла линейный / MLX90242ESE-GAA-000-RE
Микросхема датчика угла поворота
Датчик температуры ИК, Uпит=3B, однозонный, стандарт (без вторичной оптики)
Датчик температуры инфракрасный питание 2.9….3.6В 32х24 TO-39-4 металлический
Датчик температуры инфракрасный питание 2.9….3.6В 32х24 TO-39-4 металлический
Датчик MLX90640ESF-BAB-000-SP
Датчик MLX90640ESF-BAB-000-TU
Датчик MLX90641ESF-BCA-000-TU
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.45A 0.455Ом 0402 лента на катушке
ЧИП-индуктивность 1мкГн, ±20%, 170мГц
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 10МГц 0.13А 0.325Ом 0603 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 100нГн ±20% 25МГц феррит 850мА 182мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
0603 100 nH 20% 850 mA / MLZ1608DR10DT000
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 220нГн ±20% 25МГц феррит 600мА 351мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 0.09A 1.365Ом 0603 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 2МГц феррит 350мА 650мОм по постоянному току 0603 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 0.06A 0.78Ом 0603 лента на катушке
0603 10uH 20% 0.3A / MLZ1608N100LT000
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.14A 0.143Ом 0603 автомобильного применения лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 0.11A 0.234Ом 0603 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 1мкГн ±20% 10МГц феррит 900мА 130мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 2.2мкГн ±20% 10МГц феррит 0.65A 0.195Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 3.3мкГн ±20% 10МГц феррит 450мА 442мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012A3R3WT000 0805 3,3uH 20% 0,45A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 100нГн ±20% 25МГц феррит 1.15A 91мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012DR10DT000, SMD индуктивность 0.1 мкГн 20% 1.15А 0805
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 220нГн ±20% 25МГц феррит 900мА 169мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012DR22DT000 0805 0,22uH 20% 0,9A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 470нГн ±20% 25МГц феррит 700мА 234мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012DR47DT000 0805 0,47uH 20% 0,7A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 0.3A 0.884Ом 0805 автомобильного применения лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 0.35A 0.611Ом по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 350мА 611мОм 0805 автомобильного применения лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 15мкГн ±20% 2МГц феррит 0.25A 1.235Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1мкГн ±20% 2МГц феррит 0.8A 0.13Ом 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 1.5мкГн ±20% 2МГц феррит 700мА 182мОм 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 3.3мкГн ±20% 2МГц феррит 0.5A 0.26Ом по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 47мкГн ±20% 2МГц феррит 0.17A 4.81Ом по постоянному току 0805 лента на катушке
0805 47uH 20% 0.17A / MLZ2012M470WT000
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 47мкГн ±20% 2МГц феррит 0.17A 4.81Ом 0805 автомобильного применения лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 2МГц феррит 500мА 390мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012M4R7WT000, SMD индуктивность 4.7 мкГн 20% 0.5А 0805
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкГн ±20% 2МГц феррит 350мА 520мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкГн ±20% 2МГц феррит 400мА 520мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 10мкГн ±20% 2МГц феррит 0.5A 0.39Ом по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 100мкГн ±20% 2МГц феррит 0.14A 4.55Ом по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N1R0LT000, SMD индуктивность 1 мкГн 20% 1.15А 0805
MLZ2012N1R5LT000 0805 1,5uH 20% 0,9A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±20% 2МГц феррит 300мА 871мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 22мкГн ±20% 2МГц феррит 300мА 871мОм по постоянному току 0805 автомобильного применения лента на катушке
Индуктивность SMD силовая экранированная многослойная 2.2мкГн ±20% 2МГц феррит 800мА 156мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 4.7мкГн ±20% 2МГц феррит 600мА 234мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N4R7LT000 0805 4,7uH 20% 0,6A TDK Чип-индуктивность
ЧИП-индуктивность многослойная экранированная 6.8мкГн ±20% 2МГц феррит 550мА 325мОм по постоянному току 0805 лента на катушке
MLZ2012N6R8LT000, SMD индуктивность 6.8 мкГн 20% 0.55А 0805
ЧИП-индуктивность силовая многослойная экранированная 6.8мкГн ±20% 2МГц феррит 550мА 325мОм 0805 автомобильного применения лента на катушке
MLZ2012P220WT000 0805 22uH 20% 0,22A TDK Чип-индуктивность
Стабилитрон одиночный 15В ±2% 200мВт 2-Pin SOD-323F лента на катушке
Стабилитрон одиночный 15В ±5% 200мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-323F лента на катушке
Стабилитрон одиночный 18В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323F лента на катушке
Стабилитрон одиночный 3В ±2% 300мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 3.3В ±2% 200мВт 2-Pin SOD-323F лента на катушке
Стабилитрон одиночный 56В ±2% 200мВт 2-Pin SOD-323F лента на катушке
Стабилитрон одиночный 5.1В ±5% 200мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-323F лента на катушке
Стабилитрон одиночный 8.2В ±2% 300мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 2.7В ±7% 500мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-523 лента на катушке
Стабилитрон 3.9В 500мВт SOD523
Разъёмы с выводами на плату или провод
Разъёмы с выводами на плату или провод
Разъёмы с выводами на плату или провод
4 элемента 2И-НЕ, 14-SOIC
4 элемента 2И-НЕ, 14-SOIC
4 элемента 2ИЛИ-НЕ, 14-SOIC
Инвертер 6-ти канальный SOIC14
Инвертер 6-ти канальный TSSOP14
Инвертер 6-ти канальный SOIC14
Счетверенный логический элемент 2-И SOIC14
Счетверенный логический элемент 2-И TSSOP14
Счетверенный логический элемент 2-И TSSOP14
Счетверенный логический элемент 2-И SOIC14
Счетверенный буфер с третьим состоянием неинвертирующий SOIC14
Счетверенный буфер с третьим состоянием неинвертирующий TSSOP14
Счетверенный буфер с третьим состоянием неинвертирующий TSSOP14
Счетверенный буфер с третьим состоянием неинвертирующий SOIC14
Счетверенный буфер с третьим состоянием неинвертирующий SOIC14
Счетверенный буфер с третьим состоянием неинвертирующий SOIC14
4 элемента 2И-НЕ, 14-SOIC
4 элемента 2И-НЕ, 14-SOIC
6-ти канальный триггер инвертер SOIC14
Триггер Шмидта инвертирующий х 6 КМОП кристалл, TSSOP14
Триггер Шмитта 6-ти канальный инвертирующий TSSOP14
6-ти канальный триггер инвертер SOIC14
MM74HC161N PDIP-16 ON микросхема
Регистр сдвига с параллельным входом и последовательным выходом 8-бит SOIC14
Регистр с последовательным входом и параллельным выходом SOIC14
Инвертер сдвоенный четырехвходовой SO20W
8-разрядный (2х4) буфер/драйвер, с тремя состояниями выхода, 20TSSOP
8-разрядный (2х4) буфер/драйвер, с тремя состояниями выхода, 20SOIC
8-разрядный (2х4) буфер/драйвер, с тремя состояниями выхода, 20SOIC
Передатчик с третьим состоянием 8-бит SO20W
D-триггер с положительным фронтом TSSOP20
D-триггер с положительным фронтом SO20W
Восьмиразрядный D-триггер-защелка с третьим состоянием TSSOP20
Восьмиразрядная защелка с третьим состоянием SO20W
Восьмиразрядный D-триггер-защелка с третьим состоянием SO20W
Инвертер восьмивходовой SO20W
Инвертер восьмивходовой SO20W
8-разрядный буфер/драйвер, с тремя состояниями выхода, 20TSSOP
8-разрядный буфер/драйвер, с тремя состояниями выхода, 20SOIC
Восьмиразрядный D-триггер-защелка с третьим состоянием TSSOP20
Восьмиразрядный D-триггер-защелка с третьим состоянием TSSOP20
Восьмиразрядный D-триггер защелка с третьим состоянием SO20W
Восьмиразрядный D-триггер-защелка с третьим состоянием SO20W
Регистр защелка 8-бит SOIC16
Регистр защелка 8-бит TSSOP16
Регистр сдвига 8-бит TSSOP16
Регистр сдвига 8-бит SOIC16
Сдвоенный D-триггер с положительным фронтом SO14
Сдвоенный D-триггер с положительным фронтом TSSOP14
Сдвоенный D-триггер с положительным фронтом SOIC14
4 элемента Исключающее ИЛИ2, 14-SOIC
4 элемента Исключающее ИЛИ2, 14-SOIC
Инвертер 6-ти канальный SOIC14
Инвертер 6-ти канальный открытый сток TSSOP14
Инвертер 6-ти канальный открытый сток SOIC14
Счетверенный логический элемент 2-И TSSOP14
Счетверенный логический элемент 2-И SOIC14
MM74HCT138M SO-16 ON микросхема
Триггер Шмитта 6-ти канальный инвертирующий SOIC14
Триггер Шмитта 6-ти канальный инвертирующий SOIC14
Регистр сдвиговый 8 бит Последовательный вход, параллельный выход КМОП кристалл,
Передатчик с третьим состоянием 8-бит TSSOP20
Передатчик с третьим состоянием 8-бит SO20W
Передатчик с третьим состоянием 8-бит SO20W
MM74HCT273N PDIP-20 ON микросхема
D-триггер с положительным фронтом SO20W
MM74HCT273WMX SO-20 ON микросхема
Восьмиразрядный D-триггер-защелка SO20W
MM74HCT374N PDIP-20 ON микросхема
D-триггер с положительным фронтом SO20W
8-разрядный буфер/драйвер, с тремя состояниями выхода, 20TSSOP
буфер/драйвер с тремя состояниями на выходе 8 бит КМОП кристалл, 20SOIC
8-разрядный буфер/драйвер, с тремя состояниями выхода, 20SOIC
D-триггер с положительным фронтом SO20W
Сдвоенный D-триггер с положительным фронтом SOIC14
Сдвоенный D-триггер с положительным фронтом SOIC14
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 100Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 100Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 1кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 1кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 10кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 10кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 100кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 100кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1МОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1МОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 10МОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 1Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
MMA02040C1008FB300, ЧИП резистор 0204 1Ом 0.4Вт 1% 200В 50ppm
ЧИП-резистор 0204 10Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 1.1кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 11кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1.2кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1.2Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 1.21кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1.3кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 13кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 150Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1.5кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1.5кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 15кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 150кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 1.5МОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 1.5Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор MELF 0204 180кОм ±1% 0.4Вт -55°C...+155°C
ЧИП-резистор 0204 1.8Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 2кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 200кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 2Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор MELF MMA 0204 20Ом ±1% 0.4Вт 50ppm/°C
ЧИП-резистор 0204 220Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 2.2кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 22кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
MMA02040C2202FB300, ЧИП резистор 0204 22кОм 0.4Вт 1% 200В 50ppm
ЧИП-резистор 0204 220кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 0.22Ом ±5% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор MELF MMA 0204 2.2Ом ±1% 0.4Вт 50ppm/°C
ЧИП-резистор 0204 22Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 240кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 270Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 27кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
MMA02040C3009FB300, ЧИП резистор 30Ом MELF 0204 0.25Вт 1% 50ppm
ЧИП-резистор 0204 3.3кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 33кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 330кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 3,3Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 33Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 332Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 3.9кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 3.9Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 4.02кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 470Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 4.7кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 47кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 4.7Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 47Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 5,1МОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 51Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
0204 560 Ом 1% 0.4 W 50ppm/C / MMA02040C5600FB300
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 5.6кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 56кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор тонкопленочный 0204 62кОм ±1% 0.25Вт ±50ppm/°C
ЧИП-резистор 0204 680Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0204 82кОм ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор MELF 0204 8.2Ом ±1% 0.4Вт
MMA02040D1002BB300, ЧИП резистор 1406 10кОм 0.1% 0.25Вт 25ppm/C Melf SMD
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 100кОм ±0.1% 0.4Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор MELF 0204 10кОм ±0.1% 0.25Вт -55°C...+155°C
ЧИП-резистор MELF 0.25Вт 200кОм ±0.1% 0204 200В 15ppm
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0204 0Ом 0.4Вт -55°С...+155°С
MMA0204AC2809FB300, ЧИП резистор 28Ом MELF 0204 0.25Вт 1%
Акселерометр 3-х осевой ±2g/±4g/±8g электропитание 2.5В 16-Pin QFN лента на катушке
Акселерометр 3-х осевой ±2g/±4g/±8g электропитание 2.5В 16-Pin QFN лоток
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 100Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 1k ±1% 1Вт ±50ppm/°C
MMB02070C1002FB200, ЧИП резистор 0207(2309) 10кОм 1% 0.4Вт 50ppm/C Sulfur Resistant Melf Pad SMD
2512 100 кОм 1% 1Вт / MMB02070C1003FB200
ЧИП-резистор 0207 1МОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 1Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 10Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 120Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 1.2кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
MMB02070C1208FB200, ЧИП резистор 1.2Ом 1% 2/5Вт 50ppm/C MELF 0207
ЧИП-резистор 0207 12Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
2512 150 Ом 1% 1Вт / MMB02070C1500FB700
MMB02070C1503FB200, ЧИП резистор 150кОм MELF 0207 0.4Вт 1% 50ppm
ЧИП-резистор 0207 1.5Ом ±1% 1Вт ±50ppm/°C
ЧИП-резистор MELF 0207 180кОм ±1% 1Вт 50ppm/°C 300В
ЧИП-резистор 0207 200Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 2кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 200кОм ±1% 0.4Вт
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 20Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 220Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
2512 2.2 кОм 1% 1Вт / MMB02070C2201FB200
ЧИП-резистор 0207 22кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 220кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 2.2Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 22Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 2.4 Ом ±1% 0.4Вт
ЧИП-резистор 0207 2.7кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 270кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор MELF 0207 27Ом ±1% 0.4Вт
MMB02070C3000FB200, ЧИП резистор 300 Ом 1% 1Вт 50ppm MELF 1Вт 300ohm 1% 0207 300В 50ppm
ЧИП-резистор тонкопленочный 0207(2309) 33кОм ±1% 0.4Вт ±50ppm/°C лента на катушке автомобильного применения
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 330кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
MMB02070C3308FB200, ЧИП резистор MELF0207 3.3Ом 1% 1Вт
2512 360 Ом 1% 1Вт / MMB02070C3600FB200
ЧИП-резистор 0207 39кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 0207 470Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор 2512 100Ом ±5% 1Вт -55°C…+155°C
2512 47 Ом 1% 1Вт / MMB02070C4709FB200
MMB02070C5108FB200, ЧИП резистор 5.1Ом 1% 1Вт 50ppm 0207 Thin Film MELF
ЧИП-резистор 0207 0,4Вт ±1% 51Ом лента
MMB02070C6800FB200, ЧИП резистр 680 Ом 1% 1Вт 50 ppm/K MMB 0207 Series 1 W 680 Ohm 1 % 50 ppm/K P
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 6.8кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор MELF 0207 6.8Ом ±1% 0.4Вт
ЧИП-резистор 0207 75Ом ±1% 1Вт -55°С...+155°С
ЧИП-резистор тонкопленочный 0207(2309) 820Ом ±1% 0.4Вт ±50ppm/°C лента на катушке автомобильного применения
MMB02070C8202FB200, ЧИП резистор 82кОм MELF 0204 0.25Вт 1%
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 8.2Ом ±1% 0.4Вт -55°С...+155°С
MMB02070D2700B, ЧИП резистор 270Ом MELF 0207 0.4Вт 0.1% 25ppm
ЧИП-резистор 0207 0Ом 1Вт -55°С...+155°С
Тонкопленочный ЧИП-резистор 0207 360кОм ±1% 1Вт -55°С...+155°С
Диод выпрямительный общего применения 100В 0.2А
Диод выпрямительный сборка 100В 200мА
Диод выпрямительный сборка 100В 200мА
Диод выпрямительный сборка 100В 200мА
Диод выпрямительный сборка 200В 200мА
Диод выпрямительный сборка 200В 200мА
Диод выпрямительный сборка 200В 200мА
Диод выпрямительный общего применения 200В 0.2А
Диод выпрямительный сборка 200В 200мА
Диод выпрямительный сборка 200В 200мА
Диод выпрямительный сборка 240В 225мА
Диод х2 75В /100мА общий анод
Диод выпрямительный сборка 30В 100мА
Диодная сборка общего применения 300В 225мА SOT23
Диод выпрямительный сборка 300В 225мА
Диод выпрямительный сборка 300В 225мА
Диод импульсный малосигнальный 350В 0.225A автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Диод импульсный сдвоенный 7В SOT23
Diode Schottky DUAL 7V SOT-323
Диод импульсный сдвоенный 7В SOT24
Диоды и сборки выпрямительные
Диод выпрямительный общего применения 75В 0.215А
Диод выпрямительный общего применения 75В 0.2А
Диоды и сборки выпрямительные
Диод выпрямительный сборка 100В 200мА
MMBD4148CC SOT-23 CJ диод
Диод выпрямительный сборка 75В 150мА
Диод выпрямительный общего применения 75В 0.25А
Диод выпрямительный сборка 75В 250мА
Диоды и сборки выпрямительные
Диод выпрямительный 80В 0.25А
Диод выпрямительный сборка 80В 250мА
Диодная сборка общего применения 80В 250мА SOT363
Диод общего применения 75В 250мА SOT323
Диод выпрямительный общего применения 70В 0.2А
Диод выпрямительный сборка 70В 200мА
Диоды и сборки выпрямительные
Диодная сборка общего применения 75В 300мА SOT23-3
Диод выпрямительный сборка 100В 300мА
MMBD7000LT1G малосигнальный переключающий диод для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Конфигурация - 2 диода с общим анодом. Максимальное обратное напряжение 100 Вольт, максимальный прямой ток 0.2 Ампера, прямое падение напряжения 1.1 Вольт.
MMBD7000LT1G SOT-23 ON диод
Диод выпрямительный сборка 100В 200мА
Диод выпрямительный общего применения 100В 0.2А
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА
MMBF170 SOT-23-3 0.5A 60V HOTTECH транзистор
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 60В 500мА
MMBF170L N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3000 мОм (при Vgs =10 В, Id = 0.5 А).
Транзисторы и сборки MOSFET
Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 20В 300мА
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 40 В, 225 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 30 В, 225 мВт
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА, 0.225 Вт
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 350 мВт
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
35V 50mA N-MOSFET / MMBFJ112
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, N-канальный, 35 В, 350 мВт
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
MMBFJ177 SOT-23 HOTTECH транзистор
MMBFJ177G-AE3-R SOT-23 UTC транзистор
MMBFJ177LT1G SOT-23 ON транзистор
Полевой транзистор с управляемым P-N переходом N-канальный 40В 350мВт
Полевой транзистор, радиочастотный, N-канальный, 25 В, 10 мА
Полевой транзистор с PN-переходом, P-канальный, 30 В, 225 мВт
Полевой транзистор с PN-переходом, N-канальный, 25 В, 225 мВт
MMBT4403 SOT-23 T&R RoHS Diodes Inc транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.5 А
Транзисторы и сборки биполярные
MMBT2222A SOT-23 HOTTECH транзистор
MMBT2222A(PMMBT2222A) SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.3W
Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SOT23
Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A 3DFN
40V 600mA / MMBT2222ALT1G
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
MMBT2222AT Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 35.
Комплементарная пара: MMBT2907AT
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, 0.15 Вт
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
MMBT2222AWT1G 40В 0,6А SOT-23 (SC-70 ) ON транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Биполярный транзистор, NPN, 15 В, 0.2 А, 0.225 Вт
MMBT2907A 60В 0,6А SOT-23 HOTTECH транзистор
MMBT2907A SOT-23-3 HOTTECH транзистор
MMBT2907A(PMMBT2907A) SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.6 А
Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT-23
Транзистор общего применения биполярный PNP 60В 0.6A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SOT523
MMBT3904, Биполярный транзистор NPN 60В 200мА 200мВт SOT-23-3 (=MMBT3904LT1)
MMBT3904 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100.
Комплементарная пара: MMBT3906
MMBT3904 SOT-23 HOTTECH транзистор
MMBT3904 60В 0,2А SOT-23-3 NPN Fulihao Tech транзистор
MMBT3904,215, Биполярный транзистор SOT-23 (TO-236AB)
MMBT3904,215 SOT-23 NEXPERIA-NXP транзистор
40V 200mA NPN / MMBT3904-7-F
Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A DFN1006-3
Транзисторы и сборки биполярные
Транзисторы и сборки биполярные
Транзистор общего применения биполярный NPN 40В 0.2A 350мВт 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.2 А, 0.35 Вт
MMBT3906 40В 0,2А SOT-23 YJ транзистор
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0.25 Вт
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А
TRANS PNP 40V 0.2A DFN1006-3
MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор
MMBT3906LT1G SOT-23 ON транзистор
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.2 А, 0,2 Вт
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт
Транзисторы и сборки биполярные
MMBT4401 SOT-23 Ningbo(ZH) транзистор
MMBT4401(PMBT4401) SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SMD SOT23-3
MMBT4401LT1G, Биполярный транзистор NPN 60В 0.6А SOT-23-3
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
MMBT4403 SOT-23 CTK транзистор
MMBT4403 SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
MMBT4403 (PMBT4403) SOT-23 HOTTECH транзистор
Биполярный транзистор PNP 40В 0.6A SOT23-3
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, 0.3Вт
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 2 А
Биполярный транзистор, PNP, 50 В, 0.05 А
Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 0.05 А
Транзисторы и сборки биполярные
MMBT5089 SOT-23 ON транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 25 В, 0.05 А
Биполярный транзистор NPN 12В 50мА 225мВт Кус не менее 25 2ГГц
MMBT5401, Биполярный транзистор 150В 0.5А SOT-23-3
MMBT5401 160В 0,6А SOT-23 Yangjie транзистор
MMBT5401 SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.6 А, 0.3 Вт
Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт
Транзисторы и сборки биполярные
MMBT5550 SOT-23 T&R RoHS Olitech Electronics транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 140 В, 0.6 А, 0,225 Вт
MMBT5551 - биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 180 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,6 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 50. Граничная частота ft 300 МГц.
Комплементарная пара: MMBT5401
MMBT5551 SOT-23 HOTTECH транзистор
MMBT5551 SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.6 А
Биполярный транзистор, NPN, 160 В, 0.06 А
Биполярный транзистор, PNP, 30 В, 1 А, 0.31 Вт
Биполярный транзистор, NPN, 50 В, 0.2 А, 0.225Вт
Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 0.2 А
Биполярный транзистор, PNP, 350 В, 0.5 А, 0.3 Вт
MMBT7002 SOT-23 HOTTECH транзистор
Транзистор полевой MOSFET N-канальный
Транзистор MMBT8550D-1.5A
Биполярный транзистор NPN 15В 50мА 225мВт Кус не менее 20 не менее 600МГц
Транзисторы и сборки биполярные
Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 0.5 А, 0.225Вт
MMBTA06, Биполярный транзистор NPN 80В 0.5А SOT-23
MMBTA06 80В 0,5А SOT-23 NPN YJ транзистор
Биполярный транзистор NPN 80В 0.5A SOT23
MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Транзистор общего применения биполярный NPN 80В 0.5A 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 30 В, 0.3 А
Биполярный транзистор, NPN, составной (Darlington), 80 В, 0.5 А
MMBTA42 - биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 300 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,3 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 60. Граничная частота ft 50 МГц.
Комплементарная пара: MMBTA92
MMBTA42 SOT-23 LGE транзистор
MMBTA42 SOT-23 T&R RoHS KLS транзистор
MMBTA42(PMMBTA42) SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.1 А, 0.25Вт
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А
Транзисторы и сборки биполярные
MMBTA42LT1G SOT-23 ON транзистор
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5A
MMBTA44 SOT-23 Hottech транзистор
TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
MMBTA56, Биполярный транзистор PNP SOT-23 (=MMBTA56)
MMBTA56 SOT-23 YONGYUTAI транзистор
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Биполярный транзистор, PNP, 80 В, 0.5 А
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А
Биполярный транзистор, PNP, составной (Darlington), 30 В, 0.5 А, 0.3 Вт
MMBTA92, Биполярный транзистор PNP 300В 300мА 300мВт SOT-23
MMBTA92 - биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -300 В, максимальный ток коллектора Ic max -0.2 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 60. Граничная частота ft 50 МГц.
Комплементарная пара: MMBTA42
MMBTA92(PMMBTA92) SOT-23 Ningbo транзистор
MMBTA92(PMMBTA92) SOT-23 T&R RoHS Hottech транзистор
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.1 А
Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А
MMBTH10, Биполярный транзистор NPN 30В 50мА 225мВт SOT-23
MMBTH10 30В 0,05А SOT-23 NPN Hottech транзистор
Биполярный транзистор NPN 25В 50мА 225мВт Кус не менее 60 не менее 650МГц
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 6.5В включение 14.2В ограничение SOT23
MMBZ12VA 12V 0.225W SOT-23 JSMSEMI стабилитрон
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 8.5В включение 17В ограничение SOT23
TVS диод защитный 8.5В пиковое рабочее 17В ограничение SOT23
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 12В включение 21В ограничение SOT23
TVS DIODE 12.8VWM 21.2VC SOT23
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 14.5В включение 25В ограничение SOT23
TVS диод (супрессор), 14.5VWM 25VC, однонаправленный
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 14.5В включение 25В ограничение SOT23
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 17В включение 28В ограничение SOT23
TVS диод (супрессор), 17VWM 28VC, однонаправленный
TVS DIODE 17VWM 28VC SOT23
TVS диод (супрессор), 22VWM 40VC 40W, однонаправленный
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 22В включение 40В ограничение SOT23
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 22В включение 38В ограничение SOT23
TVS диод (супрессор), 22VWM 38VC, однонаправленный
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 26В включение 46В ограничение SOT23
TVS диод (супрессор), 26VWM 46VC, однонаправленный
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 26В включение 46В ограничение SOT23
Стабилитрон одиночный 5.1В ±5% 350мВт автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 5.1В ±5% 200мВт автомобильного применения 6-Pin SOT-363 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 5.1В ±5% 200мВт автомобильного применения 3-Pin SOT-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 5.6В ±5% 350мВт автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 17В ±5% 300мВт 3-Pin SOT-23 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 18В ±5% 350мВт автомобильного применения 3-Pin SOT-23 лента на катушке
MMBZ5V6A 5.6V 0.225W SOT-23 JSMSEMI стабилитрон
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 3В включение 8В ограничение SOT23
MMBZ6V2A 6.2V 0.225W SOT-23 JSMSEMI стабилитрон
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 3В включение 8.7В ограничение SOT23
TVS диод (супрессор), 3VWM 8.7VC, однонаправленный
MMBZ6V8A 6.8V 0.225W SOT-23 JSMSEMI стабилитрон
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 4.5В включение 9.6В ограничение SOT23
MMBZ6V8ALT1G, [SOT-23]; ESD Protection Devices ROHS;=MMBZ6V8ALT1G(ON)
MMBZ6V8ALT1G (SOT-23) UMW диод защитный
TVS диод (супрессор), 6VWM 14VC 24W, однонаправленный
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 6В включение 14В ограничение SOT23
Разъем MMCS1-07A (6620d07psa11)
Высокочастотный разъем круглый с резьбой (розетка) RUICHI MMCX-B высота 8.5 мм, диаметр 4.3 мм, до 6 ГГц, 50 Ом – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы. По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
Высокочастотный разъем круглый с резьбой (розетка) RUICHI MMCX-A, высота 10.5 мм, диаметр 4.3 мм, до 6 ГГц, 50 Ом, гайка в комплекте – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы. По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
Разъем MMCX вилка на кабель RG-174,188,316, обжимной, Amphenol, MMCX1121A1-3GT30G-316U-50
Высокочастотный разъем – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы.По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
Высокочастотный разъем круглый с резьбой (розетка) RUICHI MMCX-A, высота 6.3 мм, диаметр 4.3 мм, до 6 ГГц, 50 Ом, гайка в комплекте – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы. По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
Высокочастотный разъем (розетка) RUICHI MMCX-A, высота 7.5 мм, ширина 4.5 мм, до 6 ГГц, 50 Ом – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы. По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
Высокочастотный разъем – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы.По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
Высокочастотный разъем – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы.По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
Высокочастотный разъем – конструкция, предназначенная для подсоединения различных электронных устройств к электрическим цепям для осуществления согласованной надежной передачи сигналов высокой частоты. При этом в местах соединения потери сводятся к минимуму. Высокочастотные разъемы могут иметь обычные или изолированные корпусы.По способу соединения они могут быть: с байонетным соединением или с резьбовым соединением.
вилка прямая коаксиальная на плату, 50 Ом, 0~6 ГГц, / MMCX-P-P-H-ST-TH1
Разъем MMCX гнездо на плату, прямой угол, Amphenol, MMCX6252N1-3GT30G-50
розетка MMCX угловая коаксиальная на плату / MMCX6252N1-3GT30G-50
Диод выпрямительный общего применения 100В 0.2А
Биполярный транзистор NPN/NPN, 40 В, 0.6 А
Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В
Биполярный транзистор PNP/PNP, 60 В, 0.6 А
MMDT3904, Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT363
MMDT3904 40В 0,2А SOT-363 NPN YJ транзистор
Биполярный транзистор сборка 2 NPN 40В 0.2A SOT363
Биполярный транзистор сборка 2 PNP 40В 0.2A SOT363
Биполярный транзистор сборка NPN/PNP 40В 0.2A SOT363
Биполярный транзистор NPN/PNP, 40 В, 0.6 А
TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT363
TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
TRANS 2NPN 300V 0.5A SOT26
MME80R290P D2PAK(TO-263-3) MagnaChip транзистор
Разъемы питания низковольтные представляют собой коннекторы ручного соединения внутреннего объемного монтажа, соединяют цепи с различной нагрузкой.
Для более качественного соединения в конструкции разъемов низковольтного питания предусмотрена фиксация с помощью фиксирующих элементов, расположенных на корпусах разъемов.
Разъемы питания низковольтные представляют собой коннекторы ручного соединения внутреннего объемного монтажа, соединяют цепи с различной нагрузкой.
Для более качественного соединения в конструкции разъемов низковольтного питания предусмотрена фиксация с помощью фиксирующих элементов, расположенных на корпусах разъемов.
Разъемы питания низковольтные представляют собой коннекторы ручного соединения внутреннего объемного монтажа, соединяют цепи с различной нагрузкой.
Для более качественного соединения в конструкции разъемов низковольтного питания предусмотрена фиксация с помощью фиксирующих элементов, расположенных на корпусах разъемов.
Разъемы питания низковольтные представляют собой коннекторы ручного соединения внутреннего объемного монтажа, соединяют цепи с различной нагрузкой.
Для более качественного соединения в конструкции разъемов низковольтного питания предусмотрена фиксация с помощью фиксирующих элементов, расположенных на корпусах разъемов.
Разъемы питания низковольтные представляют собой коннекторы ручного соединения внутреннего объемного монтажа, соединяют цепи с различной нагрузкой.
Для более качественного соединения в конструкции разъемов низковольтного питания предусмотрена фиксация с помощью фиксирующих элементов, расположенных на корпусах разъемов.
Разъемы питания низковольтные представляют собой коннекторы ручного соединения внутреннего объемного монтажа, соединяют цепи с различной нагрузкой.
Для более качественного соединения в конструкции разъемов низковольтного питания предусмотрена фиксация с помощью фиксирующих элементов, расположенных на корпусах разъемов.
Металлопленочный ЧИП-резистор 0204 2.2кОм ±1% 0.25Вт
Металлопленочный ЧИП-резистор 0204 330кОм ±1% 0.25Вт
Металлопленочный ЧИП-резистор 0204 47кОм ±1% 0.25Вт
Металлопленочный ЧИП-резистор 0204 620Ом ±1% 0.25Вт
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 600В 11А 31Вт
MMFTN123 SOT-23 SEMTECH транзистор
MMFTN170 SOT-23 SEMTECH транзистор
Транзистор полевой MOSFET N-канальный 75В 500A 21-Pin
Тиристор (SCR) 1500В 350A
Контроллер управления питанием на базе на базе I.MX6 56QFN
Контроллер управления питанием на базе I.MX6 56QFN
Микросхема MMPF0100NPANES
Контроллер управления питанием на базе I.MX6 56QFN
Контроллер управления питанием на базе I.MX6 56QFN
Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.5 А
Массив биполярных транзисторов, PNP, 60 В, 0.6 А
Массив биполярных транзисторов, NPN, 40 В, 0.2 А
Биполярный транзистор 2NPN/2PNP, 40 В, 0.2 А
Диод защитный от перенапряжения - TVS (супрессор) 14В включение 26В ограничение SC74-6
TVS диод (супрессор), 3VWM 8VC, однонаправленный
Диод выпрямительный общего применения 250В 0.2А
Диоды и сборки выпрямительные
MMSD4148T1G, диод SOD-123
MMSD4148T1G SOD-123 0,2А 100В ON диод
Диод выпрямительный общего применения 100В 0.2А
Диоды и сборки выпрямительные
Диод выпрямительный общего применения 100В 0.2А
Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А
Биполярный транзистор PNP 60В 0.6A SC70-3
Транзисторы и сборки биполярные
40V 200mA NPN / MMST3904-7-F
Биполярный транзистор NPN 40В 0.2A SOT323
MMST3906, Биполярный транзистор 40В 200мА 200мВт SOT-323
Биполярный транзистор NPN 40В 0.6A SC70-3
Биполярный транзистор, PNP, 150 В, 0.2 А
Биполярный транзистор NPN 160В 0.2A SC70-3
Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.2 А
MMSZ36VCW SOD-123 T&R YJ стабилитрон
MMSZ47VCW SOD-123 T&R YJ стабилитрон
MMSZ5226B 3.3V 0.35W SOD-123 CTK стабилитрон
Стабилитрон одиночный 3.6В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 3.9В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке
MMSZ5230B, стабилитрон, 4.7В, 20мА, 500мВт [SOD-123]
Стабилитрон одиночный 4.7В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке
MMSZ5231B 5.1V 0.35W SOD-123 CTK стабилитрон
MMSZ5231B 5,1V 0,5W SOD-123 T&R RoHS Hottech стабилитрон
Стабилитрон одиночный 5.1В ±5% 500мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-123 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 5.1В ±5% 500мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-123 лента на катушке
MMSZ5232B, Стабилитрон 0.5Вт 5.6В
Стабилитрон одиночный 5.6В ±5% 500мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-123 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 5.6В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 6В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 6.2В ±5% 500мВт 2-Pin SOD-123 лента на катушке
MMSZ5235B, Стабилитрон 6.8В 0.5Вт SOD-123
Стабилитрон одиночный 6.8В ±5% 500мВт автомобильного применения 2-Pin SOD-123 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 6.8В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 8.2В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке
Стабилитрон одиночный 9.1В ±5% 200мВт 2-Pin SOD-323 лента на катушке